摘要：本文简要介绍功率型LED封装技术的国内外发展动态，论述功率型LED关键的封装技术，我们在功率型LED封装技术研究的进展，并对我国发展功率型LED提些建议。
一、引言
半导体发光二极管简称LED，从上世纪六十年代研制出来并逐步走向市场化，其封装技术也是不断改进和发展。LED由最早用玻璃管封装发展至支架式环氧封装和表面贴装式封装， 使得小功率LED获得广泛的应用。从上世纪九十年代开始，由于LED外延、芯片技术上的突破，使超高亮四元系AlGaInP和GaN基的LED既能发射可见光波长的光，可组合各种颜色和白光，又在器件输入功率上有很大提高。目前单芯片1W大功率LED已产业化，3W--5W 甚至10W的单芯片大功率LED也已推出，并部分走向市场。这使得超高亮度LED的应用面不断扩大，首先进入特种照明的市场领域，并向普通照明市场迈进。由于LED芯片输入功率的不断提高，对这些功率型LED的封装技术提出了更高的要求。功率型LED封装技术主要应满足以下二点要求：一是封装结构要有高的取光效率；其二是热阻要尽可能低。这样才能保证功率LED的光电性能和可靠性。所以本文将重点对功率型LED的封装技术作介绍和论述。
二、功率型LED封装技术现状
由于功率型LED的应用面非常广，不同应用场合下对功率LED的要求不一样。一般功率型LED分为功率LED和W级功率LED二种。当输入功率小于1W的LED（几十mW功率LED除外）叫做功率LED；当输入功率等于或大于1W的LED叫做W级功率LED。而W级功率LED常见的有二种结构形式：一种是单芯片W级功率LED，另一种是多芯片组合的W级功率LED。
1.
国外功率型LED封装技术：按功率LED和W级功率LED分别描述
(1 ) 功率 LED
根据报导，最早是由HP公司于1993年推出“食人鱼”封装结构的LED称“Super flux LED”，并于1994年推出改进型的“Snap LED”，其外形如图1所示。 有二种典型的工作电流，分别为70mA和150mA，150mA输入功率可达0.3W。接着Osram公司推出 “Power TOP LED”是采用金属框架的PLCC封装结构，其外形图如图2所示。之后一些公司推出多种功率LED的封装结构，其中一种PLCC-4结构封装形式，其功率约200~300mW。 这些结构的热阻一般为 75~125 /W。总之，这些结构的功率LED比原支架式封装的LED输入功率提高几倍，热阻下降几倍。
（2）W 级功率LED
W级功率LED是未来照明的核心部分，所以世界各大公司投入很大力量对W级功率封装技术进行研究开发，并均已将所得的新结构、新技术等申请各种专利。
单芯片W级功率LED最早是由Lumileds公司于1998年推出的Luxeon LED，其结构如图3所示。根据报导，该封装结构的特点是采用热电分离的形式将倒装芯片用硅载体直接焊接在热沉上，并采用反射杯光学透镜和柔性透明胶等新结构和新材料，具有较高的取光效率，并在较大的电流密度下可达到很低的热阻，一般为14~17 /W。现可提供单芯片1W 、3W 和5W 的大功率LED。该公司近期还报导推出Luxeon III LED产品，由于对封装和芯片进行改善，可在更高的驱动电流下工作，在700mA电流工作50000小时后仍能保持70%的流明，在1A电流工作20000小时能保持50%的流明。
Osram 公司于2003 年推出单芯片的Golden Dragon 系列LED，如图4 所示，其结构特点是热沉与金属线路板直接接触，具有很好的散热性能，而输入功率可达1W。
我国台湾UEC公司（国联）采用金属键合Metal Bonding技术封装的MB系列大功率LED，其特点是用Si 代替GaAs衬底，散热好，并以金属黏结层作光反射层提高光输出。现有LED单芯片，面积分别为0.3×0.3mm2、1×1mm2 和2.5×2.5mm2的芯片，其输入功率分别有0.3W、1W 和10W。 其中2.5×2.5mm2芯片光通量可达200lm， 0.3W 和1W 产品正推向市场。
德国Baoberlin 公司近期开发一种高功率LED，其芯片面积为2.8×3.2mm2，电流可达600mA。目前主要提供0.25×0.25mm2 及1×1 mm2 规格产品，其功耗为1.5W ，主要用于机场照明系统、室内外照明、汽车指示灯及建筑物显示器等。
多芯片组合封装的大功率LED其结构和封装形式较多，这里介绍几种典型的结构封装形式： 1.美国UOE公司于2001年推出多芯片组合封装的Norlux 系列LED，其结构是采用六角形铝板作为衬底，如图5所示。铝层导热好，中央发光区部分可装配40只芯片，封装可为单色或多色组合，也可根据实际需求布置芯片数和金线焊接方式。该封装的大功率LED其光通量效率为20lm/W，发光通量为100lm。
2.Lanina Ceramics 公司于2003年推出采用公司独有的金属基板上低温烧结陶瓷 LTCC-M 技术封装的大功率LED阵列。有二种产品：一种为7元LED阵列，光通量为840lm， 功率为21W；另一种是134元LED阵列，光通量为5360lm，功率134W。由于LTCC-M技术是将LED芯片直接连接到密封阵列配置的封装盒上，因此工作温度可达250C°。
3.松下公司于2003年推出由64只芯片组合封装的大功率白光LED，光通量可达120lm，采用散热性能优良的衬底，把这些芯片封装在2cm的面积中，其驱动电流可达8W。这种封装中每1W输入功率其温升仅为 1.2 C°。
4.日亚公司于2003年推出号称是全世界最亮的白光LED,其光通量可达600lm,输出光束为1000lm时，耗电量为30W，最大输入功率为50W。提供展览的白光LED模块发光效率达33lm/W，如图六所示。
5.LED Tronics 公司发布一种新型的G25-style Décor LED型灯泡是组合功率LED。其基座为Edison螺旋型，可直接替代白炽灯。其功耗为1.0~1.7W，使用寿命长达11年，现可提供产品的发光颜色包括红橙黄绿蓝和白，用户可自定制选项；雾化彩色灯泡和多色灯泡主要用于装饰性照明。
有关多芯片组合的大功率LED 许多公司根据实际市场需求，不断开发很多新结构封装的新产品，其开发研制的速度是非常快。 2 国内功率型LED 封装技术
国内LED 普通产品的后工序封装能力应该是很强的，封装产品的品种较齐全。据初步估计全国LED封装厂超过200家，封装能力超过200 亿只/年。封装的配套能力也是很强的，但是很多封装厂为私营企业，目前来看规模偏小。
国内功率型LED的封装早在上世纪九十年代就开始，一些有实力的后封装企业当时就开始开发并批量生产如食人鱼、功率型LED。国内的大学研究所很少对大功率LED封装技术开展研究，信息产业部第13研究所对功率型LED封装技术开展研究工作并取得很好的研究成果，具体开发出功率LED产品。国内有实力的LED封装企业（外商投资除外），如佛山国星、
厦门华联等几个企业，很早就开展功率型LED的研发工作并取得较好的效果，如食人鱼和PLCC 封装结构的产品均可批量生产，并已研制出单芯片1W级的大功率LED封装的样品，而且还进行多芯片或多器件组合的大功率LED研制开发，并可提供部分样品供试用。
对大功率LED 封装技术的研究开发，目前国家尚未正式支持投入国内研究单位，很少介入封装企业，投入研发的力度、人力和财力还很不够，形成国内对封装技术的开发力量薄弱的局面，其封装的技术水平与国外相比还有相当的差距。
三 功率型LED 产业化关键的封装技术
半导体LED要作为照明光源，常规产品的光通量与白炽灯和荧光灯等通用性光源相比距离甚远，因此LED要在照明领域发展关键要将其发光效率光通量提高至现有照明光源的等级。功率型LED所用的外延材料采用MOCVD的外延生长技术和多量子阱结构，虽然其外量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型LED的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增大芯片面积加大工作电流来提高器件的光功率，从而获得较高的发光通量。除了芯片外器件的封装技术也举足轻重，关键的封装技术工艺有： 1 散热技术
传统的指示灯型LED封装结构一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250~300 /W。新的功率型芯片若采用传统式的LED 封装形式将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄从而造成器件的加速光衰，直至失效，甚至因为迅速的热膨胀所产生的应力造成开路而失效，因此对于大工作电流的功率型LED芯片，低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是功率型LED器件的技术关键。采用低电阻率、高导热性能的材料粘结芯片；在芯片下部加铜或铝质热沉，并采用半包封结构加速散热，甚至设计二次散热装置来降低器件的热阻；在器件的内部填充透明度高的柔性硅橡胶，在硅橡胶承受的温度范围内（一般为-40 ~200 ）,胶体不会因温度骤然变化而导致器件开路，也不会出现变黄现象。零件材料也应充分考虑其导热、散热特性，以获得良好的整体热特性。 2 二次光学设计技术
为提高器件的取光效率设计外加的反射杯与多重光学透镜。 3 功率型LED 白光技术
常见的实现白光的工艺方法有如下三种：
1）蓝色芯片上涂上YAG荧光粉，芯片的蓝色光激发荧光粉，发出典型值为500nm~560nm 的黄绿光，黄绿光与蓝色光合成白光。该方法制备相对简单，效率高，具有实用性。缺点是布胶量一致性较差，荧光粉易沉淀导致出光面均匀性差、色调一致性不好、色温偏高、显色性不够理想。 2）RGB三基色，多个芯片或多个器件发光混色成白光，或者用蓝+黄绿色双芯片补色产生白光。只要散热得法，该方法产生的白光较前一种方法稳定，但驱动较复杂，另外还要考虑不同颜色芯片的不同光衰速度。
3）在紫外光芯片上涂RGB荧光粉，利用紫光激发荧光粉产生三基色光，混色形成白光。但目前的紫外光芯片和RGB 荧光粉效率较低，环氧树脂在紫外光照射下易分解老化。
我司目前已采用方法1和2进行白光LED产品的批量生产，并已进行了W 级功率LED 的样品试制，积累了一定的经验和体会。我们认为照明用W级功率LED产品要实现产业化还必须解决如下技术问题：
1）粉涂布量控制：LED芯片+荧光粉工艺采用的涂胶方法通常是将荧光粉与胶混合后用分配器将其涂到芯片上。在操作过程中由于载体胶的粘度是动态参数，荧光粉比重大于载体胶而产生沉淀以及分配器精度等因素的影响，此工艺荧光粉的涂布量均匀性的控制，有难度导致了白光颜色的不均匀。
2）芯片光电参数配合：半导体工艺的特点决定同种材料、同一晶圆芯片之间都可能存在光学参数，如波长、光强和电学，如正向电压参数差异，RGB三基色芯片更是这样对于白光色度参数影响很大，这是产业化必须要解决的关键技术之一。
3）根据应用要求产生的光色度参数控制：不同用途的产品对白光LED的色坐标、色温、显色性、光功率或光强和光的空间分布等要求就不同，上述参数的控制涉及产品结构、工艺方法、材料等多方面因素的配合，在产业化生产中对上述因素进行控制，得到符合应用要求一致性好的产品十分重要。
4.测试技术与标准
随着W级功率芯片制造技术和白光LED工艺技术的发展，LED产品正逐步进入特种照明市场，显示或指示用的传统LED产品参数、检测标准及测试方法已不能满足照明应用的需要，国内外的半导体设备仪器生产企业也纷纷推出各自的测试仪器，不同的仪器使用的测试原理、条件、标准存在一定的差异，增加了测试应用、产品性能比较工作的难度和问题复杂化。
我国光学光电子行业协会光电子器件分会行业协会根据LED产品发展的需要，于2003年发布了“发光二极管测试方法（试行）”，该测试方法增加了LED色度参数的规定，但LED要往照明业拓展，建立LED照明产品标准是产业规范化的重要手段。 5.筛选技术与可靠性保证
由于灯具外观的限制，照明用LED的装配空间密封且受到局限。密封且有限的空间不利于LED散热，这意味着照明LED的使用环境要劣于传统显示指示用LED产品，另外照明LED处于大电流驱动下工作，这就对其提出更高的可靠性要求。在产业化生产中针对不同的产品用途制定适当的热老化、温度循环冲击、负载老化工艺筛选试验，剔除早期失效品，保证产品的可靠性很有必要。 6 静电防护技术
蓝宝石衬底的蓝色芯片其正负电极均位于芯片上面，间距很小，对于InGaN/AlGaN/GaN 双异质结InGaN活化簿层仅几十nm，对静电的承受能力很小，极易被静电击穿使器件失效，因此在产业化生产中静电的防范是否得当直接影响到产品的成品率、可靠性和经济效益。静电的防范技术有如下几种：
A.生产使用场所从人体台地空间及产品传输堆放等实施防范手段有防静电服装\手套\手环\鞋\垫\盒\离子风扇\检测仪器等 B.芯片上设计静电保护线路 C.LED 上装配保护器件
厦门华联电子有限公司长期从事半导体LED及其它光电子器件的研制生产，目前在功率LED方面已具备食人鱼、PLCC功率型LED产品的量产能力。目前已有三基色芯片的PLCC功率型LED用于室外装饰，应用产品出口欧美市场。在多芯片混色白光技术应用方面已有彩色显示模块出口。W级功率型LED已经研制出红、黄、绿、蓝、白色，两种外形样品IF=350mA 下的平均光效见表1（原分别约为14lm/W、11lm/W、12lm/W 、4lm/W和11.5lm/W），白色LED样品的色温约为7000~8000K， Ra平均为84。红绿蓝色样品经过1000小时功率老化后光衰平均值见表2。
四、结束语
我国LED 封装产品主要是普通小功率LED，同时还具有一定的功率型LED封装技术和水品。但由于多种原因我国大功率LED封装技术水平总体来，说与国际水平还有相当的差距。为了加快发展LED封装技术水平，我们建议：
1 国家要重点支持LED前工序外延、芯片有实力的重点研究单位大学和企业，集中优势重点突破前工序的关键技术难点，尽快开发并生产有自主产权的1W、3W、5W和10W等大功率LED芯片，只有这样才能确保我国大功率LED的顺利发展；
2 国家要重点扶植几家有实力的大功率LED封装企业研发有自主产权的LED 封装产品，并要达到规模化的生产程度参与国际市场竞争；
3 要重视荧光粉、封装环氧等基础材料的研究开发及产业化工作；
4 根据市场要求，开发适应市场的各种功率型LED产品。首先瞄准特种照明应用的市场并逐步向普通照明灯源市场迈进。