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光学名人
王圩

王圩是半导体光电子学专家。中国科学院院士。近年来指导研究生开展了DFB主振激光器与扇形结构光放大器的单片集成研究,并与香港中文大学合作,创新地提出了含扇形光栅的双段DFB激光器,在国际上首次获得峰值功率4瓦的3皮秒超短光脉冲。他发表学术论文30余篇。先后获国家科技成果奖。国家科技进步奖二等奖,国家“六五”科技攻关奖和863计划“七五”攻关奖、中国科学院科技进步一等奖等。1997年当选中国科学院院士。

人物简介

王圩1937年12月25日生,河北文安人。1960年毕业于北京大学物理系半导体专业,同年到中国科学院半导体研究所工作至今,现任中科院半导体研究所研究员。1987年赴日本东京工业大学访问研究一年。60年代,他率先在国内研制成功无位借硅单晶;参与开拓并负责建立了Ⅲ—V族化合物外延方法,解决了高掺杂和结偏位等关键问题,为使我国GaAs激光器的工作温度从77度K提高到室温作出了贡献:70年代,率先在国内研制成功单异质结室温脉冲大功率激光器和面发射高亮度发光管,成功地应用在夜视、引信、打靶和精密测距仪上,并推广到工厂生产,为后来室温连续工作的短波长双异质结激光器的发展打下了基础。 80年代,他又率先在国内研制出室温连续工作的1.55微米四元激光器,为国内第三代光纤通信研究提供了长波长光源。1987年在日本东京工业大学创新地提出了一种内岛条形眼流结构的集束导波分布反射(BIG-KBR)激光器,获得了当时先进水平的4兆赫线宽单纵横输出;随后回国主持研制成功国内首批1.55微米动态单频分布反馈(DFB)激光器,解决了国内发展第三代长途干线大容量光纤通信的急需。他在90年代,在国内首先研制成功应变量子阶1.55微米DFB激光器,使中国光通信用激光器的研究和国际新一代能带工程研究接轨;近年来指导研究生开展了DFB主振激光器与扇形结构光放大器的单片集成研究,并与香港中文大学合作,创新地提出了含扇形光栅的双段DFB激光器,在国际上首次获得峰值功率4瓦的3皮秒超短光脉冲。他发表学术论文30余篇。先后获国家科技成果奖。国家科技进步奖二等奖,国家“六五”科技攻关奖和863计划“七五”攻关奖、中国科学院科技进步一等奖等。1997年当选中国科学院院士。

目前负责在研的项目是:国家“973”项目:“新型量子阱功能材料和器件”(2001-2005)

国家自然基金重大项目:“光网络用光放大器、电吸收调制器和模斑转换器串接集成材料与器件的研究”(2002-2004)

研究内容

近十年来在应变量子阱激光器、电吸收调制器及其集成以及半导体光放大器等方面取得的主要成绩:在国内首先研制成功应变量子阱1.55微米DFB激光器;随后,指导研究生采用周期埋岛结构,实现了新型反相位增益耦合量子阱DFB激光器、采用SAG技术,研制成功2.5Gb/sEA-MD/DFB-LD单片集成模块,并成功地在400公里标准光纤上进行了2.5Gb/s码率的传输、采用应变渐变结构研制成功偏振不灵敏的宽带1550nm波段半导体

光放大器以及电吸收调制器和模斑转换器单片集成器件等。所负责的研究项目获国家科技进步二等奖两次;中国科学院科技进步一等奖一次、二等奖两次。目前负责在研的项目是:1.国家“973”项目:“新型量子阱功能材料和器件”(2001-2005)2.国家自然基金重大项目:“光网络用光放大器、电吸收调制器和模斑转换器串接集成材料与器件的研究”(2002-2004)

献计献策

王圩院士为半导体所的战略发展献计献策,他的对半导体所的现状、未来、危机,表达了自己的看法,并提出了许多很好的建议,他们的建议对半导体所的发展提供了科学依据。 按照科学院新时期的办院方针,研究所应面向国家战略需求,面向世界科技前沿,加强原始性创新,加强关键技术集成,攀登世界科学高峰,为经济发展、国家安全、社会进步做出基础性、战略性、前瞻性的创新贡献。为了更好地为我国做出具有三性的创新贡献,同时发挥半导体所两院院士的聪明才智,经广泛征求意见、所务会讨论通过,于今年2月成立了《半导体所发展战略研究会》。

研究会为常设机构,由半导体所的两院院士组成,同时设秘书长一名(从院士中产生),研究所将为其配备学术秘书和行政秘书。研究会的职责为:经过充分的调研,定期或不定期为研究所提出战略发展规划、建议或意见。

院士分别做的报告是:《对中国科学院半导体研究所战略规划建议》(陈良惠院士);《未来信息科学研究的机遇与挑战(工作汇报与对电子所未来科学研究工作方法的思考)》;(王守觉院士);《5-10年内半导体光电子器件研究的战略发展设想》(王圩院士);《中国科学院半导体研究所研究发展建议》(夏建白院士);《对所战略发展规划的若干建议》(王启明院士);《关于"我们想做、会做与国家需要做什么?"的思考——重视系统应用技术对提升研究所战略地位的作用》(郑厚植院士);《半导体所发展方向建议》(王占国院士);《对制定半导体所战略发展计划的几点建议》(梁骏吾院士)。

王圩在国际经济激烈的竞争中,在半导体科学领域,在社会主义市场经济的大环境下,半导体所人已经清醒的认识到:如不能围绕国家现代化建设、国家安全和社会发展的需求,做出受到国家和社会公众认可的重要贡献,就会危及自身存在的价值。如何提升半导体所的科技创新水平和能力?如何发展半导体所新的生长点,发展新的关键技术,注重技术集成?如何发挥现有的综合优势,扩大研究领域,注重学科交叉?如何提升半导体所的战略地位?如何作出原始性创新的成果?国家的需要就是半导体所的需要,国家的任务就是半导体所的任务,作为国家级的研究所必须与时俱进,不断创新,才能在竞争中立于不败之地。这些战略性的思考和建议正是出自半导体所的院士们在半导体所发展战略报告会上的发言。

代表论著

W.Qiu,王圩J.Dong,J.Dong,F.ZhoJ.Y.ZhangH.L.Zhu,andL.J.Zhao,“Selective-area MOCVD growth for distributed feedback lasers in tegrated with vertically tapered self-aligned waveguide”J.CrystalGrowth Vol.250 No.3-4 pp583-587 2003 

王圩,H.L.Zhu,F.Zhou,B.J.Wang,J.Y.Zhang,L.J.Zhao,Tunable DBR Laser Fabricated by Bundle In tegrated Guide”(inEnglish),Chinese Journal of Semiconductor Vol.24 No.2 PP113-116 2003

W.Qui,王圩,J.Dong,J.Y.Zhang,H.L.Zhu,F.Zhou,“Spotsize Converter Integrated DFB Laser Diode Using Selective Area Growth MOCVD”(inEnglish),Chinese Journal of Semiconductor,Vol.23,No.5,pp459-463,May 2002

王圩 R.Y.Zhang J.Dong Z.W.Feng F.Zhou“Polarization-insensitivese miconductor optical amplifier with graded tensile bulk-like actives tructure”OECC2002 (invitedpaper) 2002.7 Japan.

G..L.Liu,王圩,H.L.Zhu,J.Y.Zhang,X.J.Zhang,“Self-aligned Coupled Waveguide DBR Lasers”(inEnglish),ChineseJ.Lasers,Vol.B11,No.2,pp87-90,2002

Y.Sun,王圩,W.X.Chen,G.L.Liu,F.Zhou,H.L.Zhu,“High Extinction Ratio Polarization IndependentEA-Modulator”(inEnglish) Chinese J.Semi conductors Vol.22 No.11 pp1374-1376,2001

王圩,G.L.Liu,H.L.Zhu,J.Y.Zhang,“High Speed DFB Laser and EMLs”Proc.SPIE Vol.4850 pp26-34 2001

B.Chen,W.Wang,X.J.Wang,J.Y.Zhang,F.Zhou,“A Novel1.3-mm High T0Al GaInAs/InP Strained Multi-Quantum Well Complex-Coupled DFB Laser Diode”JpnJ.Appl.Phys.Vol.38 pp5096-5100,1999

王圩,J.Y.Zhang,H.L.Tian,Y.B.Miao,X.J.Wang,C.L.M.Wang,J.H.Gao,H.H.Gao,“1.5mm InGaAsP/InP RW-DFB Laser”International J.Optoelectronics,Vol.7,No.1,pp63-69,1992

王圩 M.T.Pang K.Komori K.S.Lee,S.Arai Y.Suematsu “A Modified 1.5mmGaInAsP/InP BIG-DBR Laser with an Inner Is land Substrate”JpnJ.Appl.Phys. Vol.27 No.7,ppL1313-L1316,1988


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